一，写在前面
半导体芯片紧缺，主要是开工率和原材料被限制的关系，实际这事情老美发现中芯的产能没有少多少，但是产业链的影响很大。眼下在风口上，所以但凡是半导体系内的都可以关注。
实际第三代半导体主要说的就是第三代半导体材料，而第三代半导体材料的分类又很细致，之前也给大家梳理过，但为了方便新朋友阅读，我就再整理一次。另外昨天早上分享了半导体设备，今天分享半导体，实际上我么目前处于的这个关键时刻，如果半导体产业这时候有新的举措出台也不令人意外。
二，第三代半导体综述
1.什么是第三代半导体？
第三代半导体以碳化硅以及氮化镓为代表，则可应用在更高阶的高压功率元件以及高频通讯元件领域。主要应用： 高温、高频、抗辐射、大功率器件； 蓝、绿、紫光二极管、半导体激光器 更优的电子迁移率、带隙、击穿电压、高频、高温特性。
2.第三代半导体材料包含哪些部分？
碳化硅、氮化镓、氮化铝、金刚石和氧化锌
目前国内帝都是这方面产业链最为完整的，这点之前有过报道，大家可以多关注帝都的公司。
3.碳化硅材料
在宽禁带半导体材料领域就技术成熟度而言，碳化硅是这族材料中最高的，是宽禁带半导体的核心。SiC器件和电路具有超强的性能和广阔的应用前景，因此一直受业界高度重视，基本形成了美国、欧洲、日本三足鼎立的局面。
相关上市公司：北方华创、闻泰科技、天科合达、海特高新、三安光电、斯达半导、长电科技、比亚迪电子。
4.氮化镓材料
氮化镓材料是1928年由Johason等人合成的一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料， 作为一种具有独特光电属性的半导体材料， 以GaN为代表的Ⅲ族氮化物因在光电子领域和微波器件方面的应用前景而受到广泛的关注。
国外在氮化镓体单晶材料研究方面起步较早，现在美国、日本和欧洲在氮化镓体单晶材料研究方面都取得了一定的成果，都出现了可以生产氮化镓体单晶材料的公司，其中以美国、日本的研究水平最高。
相关上市公司：乾照光电，民德电子，聚灿光电，易事特，华电股份，台基股份，三安光电，海特高新，赛微电子，亚光科技，士兰微，捷捷微电，国星光电，华润微，利亚德，华峰测控，澳洋孙超，和而泰，安科创新，北方华创，闻泰科技，兆驰股份，福满电子，天箭科技，航天发展，还能实业，奥海科技
5.氮化铝材料
氮化铝材料是Ⅲ族氮化物，Ⅲ族氮化物器件相对于硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件，可以在更高频率、更高功率、更高温度和恶劣环境下工作，是最具发展前景的一类半导体材料。
AlN是制作先进高功率发光器件(LED，LD)、紫外探测器以及高功率高频电子器件的理想衬底材料。目前国外在AlN单晶材料发展方面，以美国、日本的发展水平为最高。
6.金刚石
金刚石是碳结晶为立方晶体结构的一种材料。金刚石集力学、电学、热学、声学、光学、耐蚀等优异性能于一身，是目前最有发展前途的半导体材料。除传统的用于工具材料外，还可用于微电子、光电子、声学、传感等电子器件领域。
相关上市公司：豫金刚石
7.氧化锌
氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族纤锌矿结构的半导体材料，ZnO材料既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。
它既适合制作高效率蓝色、紫外发光和探测器等光电器件，还可用于制造气敏器件、表面声波器件、透明大功率电子器件、发光显示和太阳能电池的窗口材料以及变阻器、压电转换器等 。日、美、韩等发达国家已投入巨资支持ZnO材料的研究与发展，掀起世界ZnO研究热潮。
相关上市公司：罗平锌电，锌业股份，驰宏锌锗，国成矿业，西藏珠峰，盛达资源，宏达股份，豫光金铅，中金岭南，华灿光电
三，第三代半导体材料核心
碳化硅和氮化镓是未来功率半导体的核心发展方向，英飞凌、ST等全球功率半导体巨头以及华润微、中车时代半导体等国内功率厂商都重点布局在该领域的研究。
为了发展功率半导体，华为也开启了对第三代半导体材料的布局。华为旗下的哈勃科技在2019年8月份投资了山东天岳，持股10%，而山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业，位于济南市槐荫区，目前还没有上市。
四，为什么国内如此重视第三代半导体？
1.第三代半导体相比较第一代第二代半导体处于发展初期，国内和国际巨头基本处于同一起跑线。
2.中国有第三代半导体的应用市场，可以根据市场定义产品，而不是像之前跟着国际巨头做国产化替代。
3.第三代半导体难点不在设备、不在逻辑电路设计，而在于工艺，工艺开发具有偶然性，相比较逻辑芯片难度降低。
4.对设备要求相对较低，投资额小，国内可以有很多玩家。在资本的推动下，可以全国遍地开花，最终走出来几家第三代半导体公司的概率很大。
五，相关产业链
PS：产业链中红色字体的属于上市公司中占据优势的企业，无论是氮化镓还是碳化硅，目前最关键的都是衬底技术和材料的突破，这是制约成本的重要因素。
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原文来自雪球：概念爱好者
